Dysk SSD Samsung 850 Evo 250GB GW FV23% MEGA HIT!!

Dysk SSD Samsung 850 Evo 250GB

DARMOWA I SZYBKA WYSYŁKA!

Na życzenie wystawiamy fakturę VAT.

STAN: UŻYWANE

Samsung SSD 850 Evo 250GB to dysk SSD, który charakteryzuje się niezłą wydajnością i atrakcyjną ceną. Nośnik sprawdzi się zarówno w wydajnych laptopach, jak i komputerach stacjonarnych – śmiało można go wykorzystać przy budowie nowego zestawu lub modernizacji starszej konfiguracji celem poprawy szybkości jej działania.

Unikalna innowacyjna architektura pamięci flash V-NAND 3D firmy Samsung to przełom w pokonywaniu ograniczeń związanych z gęstością, wydajnością i wytrzymałością konwencjonalnej architektury dwuwymiarowej typu NAND.

Technologia V-NAND 3D powstaje poprzez ułożenie 32 warstw komórek jedna na drugiej zamiast stosowania mniejszych komórek układanych poziomo jedna obok drugiej. Takie rozwiązanie zapewnia wzrost gęstości i lepsze wykorzystanie przestrzeni.

Specyfikacja

Zastosowanie: Klient (PC)

Pojemność dysku (Nominalna): 250 GB (1 GB = 1 miliard bajtów wg IDEMA)

Rzeczywista pojemność dysku może być mniejsza (z powodu formatowania, partycji, systemu operacyjnego, aplikacji itd.)

Rozmiar obudowy: 2,5 cala

Interfejs: SATA 6 Gb/s, a także kompatybilny z interfejsami SATA 3 Gb/s oraz SATA 1,5 Gb/s

Wymiary: 100 x 69,85 x 6,8 (mm)

Waga: 40 g

Pamięć zapisu: 32-warstwowa V-NAND 3D Samsung

Sterownik: Samsung MGX

Pamięć podręczna: Samsung 512 MB Low Power DDR3 SDRAM

Funkcje dodatkowe

• Obsługa TRIM
• Obsługa S.M.A.R.T
• Algorytm automatycznego odśmiecania pamięci
• Szyfrowanie: 256-bitowe szyfrowanie w standardzie AES (klasa 0), TCG / Opal, IEEE1667 (szyfrowany napęd)
• Obsługa WWN
• Tryb uśpienia

Wydajność

• Odczyt sekwencyjny do 540 MB/s
• Zapis sekwencyjny do 520 MB/s
• Odczyt losowy do 97 000 operacji/s
• Zapis losowy do 88 000 operacji/s
• Odczyt losowy do 10 000 operacji/s
• Zapis losowy do 40 000 operacji/s
• Średni: 2,4 W
• Maksymalnie: 2,4 W (tryb seryjny)

Środowisko

• Pobór mocy (spoczynek): Maks. 50 mW
• Dopuszczalne napięcie: 5 V ± 5%
• Średni czas bezawaryjnej pracy (MTBF): 1,5 mln godzin
• Temperatura podczas pracy: 0 – 70 °C
• Odporność na wstrząsy: 1 500 G / 0,5 ms (fala półsinusoidalna)